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NXP Semiconductors
PRTR5V0U1T
Ultra low capacitance single rail-to-rail ESD protection
5. Limiting values
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per device
T amb
T stg
ambient temperature
storage temperature
? 40
? 55
+85
+125
° C
° C
Table 6. ESD maximum ratings
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per channel
V ESD
electrostatic discharge voltage
[1][2]
IEC 61000-4-2; level 4
-
8
kV
(contact discharge)
MIL-STD-883 (human
-
10
kV
body model)
[1]
[2]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
Measured from pin 1 to 2 or 3.
Table 7.
Standard
Per diode
ESD standards compliance
Conditions
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
> 8 kV (contact)
001aaa631
I PP
100 %
90 %
10 %
t r = 0.7 ns to 1 ns
30 ns
60 ns
t
PRTR5V0U1T_1
Fig 1.
ESD pulse waveform according to IEC 61000-4-2
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 25 September 2008
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